離子注入是現(xiàn)代集成電路制造中的一種非常重要的技術(shù),其利用離子注入機(jī)實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體的摻雜,即使用鎢絲作為陰極發(fā)射電子轟擊含有特定的雜質(zhì)元素的氣體分子,產(chǎn)生電離的特定雜質(zhì)原子經(jīng)靜電場(chǎng)加速后打到硅單晶圓片表面,并打入半導(dǎo)體內(nèi)部,改變導(dǎo)電特性并最終形成晶體管結(jié)構(gòu)。
受制于發(fā)展歷史短,技術(shù)門檻高等多項(xiàng)條件限制。我國(guó)注入機(jī)離子源配件領(lǐng)域發(fā)展相對(duì)緩慢,自主率低,受國(guó)外擠壓較為明顯,同時(shí)在內(nèi)部,也出現(xiàn)過大大小小的問題,我國(guó)整體注入機(jī)離子源配件發(fā)展情況十分不樂觀亦是眾所周知的現(xiàn)狀。芯片行業(yè)經(jīng)過這幾年的全力發(fā)展,在技術(shù)上我們有了很大的進(jìn)步。大力的扶持下,涌現(xiàn)出了很多優(yōu)良的半導(dǎo)體公司,他們?cè)谛酒袠I(yè)的發(fā)展上,都發(fā)揮了力量,這是不可否認(rèn)的。此前對(duì)大基金進(jìn)行整頓以及近期重組科技部,我們可以從中看出我國(guó)在芯片行業(yè)健康發(fā)展上的決心。注入機(jī)離子源配件一個(gè)行業(yè)的發(fā)展,出現(xiàn)問題并不可怕,及時(shí)處理,不要“積少成多”,不要阻礙行業(yè)良性發(fā)展就是最好的結(jié)果。
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