蒸發(fā)臺行星鍋做為電子束蒸發(fā)臺的重要配件之一,隨著電力電子技術的高速發(fā)展,半導體的應用場景越來的越廣闊,而在半導體的制備過程中,為了提高半導體的性能經(jīng)常需要在基片的背面沉積大面積的金屬膜。
現(xiàn)在,通常利用電子束蒸發(fā)臺來完成對基片的鍍膜工藝。具體的,將待蒸發(fā)的鍍膜材料放置進坩堝,在真空系統(tǒng)中,利用電子束對鍍膜材料進行加熱,以使鍍膜材料蒸發(fā),鍍膜材料蒸發(fā)后的分子撞擊到基片表面凝結并形成金屬薄膜。在這個制備過程中,基片通常被固定在一個蒸發(fā)臺行星盤結構上,通過旋轉行星盤結構,可以使基片的各個角度的金屬薄膜厚度均勻。
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